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LOWVF肖特基二极管 |
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肖特基二极体大的缺点是其反向偏压较低及反向漏电流偏大,像使用硅及金属为材料的肖特基二极体,其反向偏压额定耐压高只到50V,而反向漏电流值为正温度特性,容易随着温度升高而急遽变大,实务设计上需注意其热失控的隐忧。为了避免上述的问题,肖特基二极体实际使用时的反向偏压都会比其额定值小很多。不过肖特基二极体的技术也已有了进步,其反向偏压的额定值大可以到200V。
肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中仅有极少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A,B表面电子浓度逐渐降低,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场方向为B→A。但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从A→B的漂移运动,从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后,电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡,便形成了肖特基势垒。
同普通硅二极管一样,肖特基二极管也是具有单向导电特性的硅二极管。不同的是,普通二极管的工作是利用半导体PN 结的单向导电特性,而肖特基二极管则是利用金属和半导体接触产生的势垒而起到单向导电作用,它是以多数载流子工作的整流器件,因而在开关时没有少数载流子的存储电荷和移动效应。所以,肖特基二极管的开关速度非常快,反向恢复时间trr很短 (小于几十ns);同时,其正向压降V F 较小,尤其适用于高速开关电路和低压大电流输出电路,具有较高的整流效率和可靠性。但肖特基二极管也有两个缺点,一是反向耐压V R 较低,一般只有 100V 左右;二是反向漏电流IR 较大。
肖特基二极管,也被称为肖特基势垒二极管或热载流子二极管,是一种利用金属与半导体接触形成的具有整流特性的器件。与传统的PN结二极管相比,肖特基二极管具有更低的正向压降和更快的开关速度,使其在高频、低功耗领域具有广泛的应用前景。
肖特基二极管是一种半导体电子器件,由一个金属和一个半导体P型材料组成。与普通二极管不同,它的正向压降较小,反向漏电流极低。它通常用于高频电路、开关电源、电压稳压器等电子设备中。
肖特基二极管是由PN结和金属接触界面组成的特殊二极管,具有以下特点:
正向电压下具有极低的正向压降(仅为0.2V左右),因此具有快速开关特性,被广泛应用于高频电路中。
反向电流大,但有稳定的温度特性和阻挡电容特性,适用于稳压、限流以及检测等领域。
耐辐射能力强,是航空航天领域常用器件之一。
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