娄底M4D9-17划片刀

刀刃部分采用精密电铸工艺制备而成，刀刃厚度范围：10μm~100μm，微粉粒径范围：1500#~5000#。

拥有6档磨粒集中度等级，适用晶圆种类范围更广；具有出色的通用性，能够适应各种复杂场景的划切需求，包括切割道内含有金属、 Pl/PO等各类工况；在切割水含有CO2的环境中，表现出的耐腐蚀性能；在划切超厚晶圆时（如晶圆级封装芯片），槽型可稳定保持垂直状态。

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主要用于对半导体硅晶圆、化合物半导体晶圆（SiC、GaAs、GaP等）、氧化物半导体晶圆（LiTaO3 等）等半导体晶圆进行、精密划切，实现芯片单体化。

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目前，机械式金刚石切割是划片工艺的主流技术。在这种切割方式下，金刚石刀片（Diamond Blade）以每分钟3万转到4万转的高转速切割晶圆的街区部分，同时，承载着晶圆的工作台以一定的速度沿刀片与晶圆接触点的切线方向呈直线运动，切割晶圆产生的硅屑被去离子水（DI water）冲走。依能够切割晶圆的尺寸 ，目前半导体界主流的划片机分８英寸和12英寸划片机两种。

划片刀的选择一般来说要兼顾切割质量、切割刀片寿命和生产成本。金刚石颗粒尺寸影响划片刀的寿命和切割质量。较大的金刚石颗粒度可以在相同的刀具转速下，磨去更多的硅材料，因而刀具的寿命可以得到延长。然而，它会降低切割质量（尤其是正面崩角和金属／ILD得分层）。所以，对金刚石颗粒大小的选择要兼顾切割质量和制造成本。
金刚石颗粒的密度对切割质量的控制也十分关键。对于相同的金刚石颗粒大小但具有不同密度的刀片，划片刀每一个旋转周期移去的硅材料是相同的，但是，平均到每一个金刚石颗粒移去的硅材料的量是不同的。
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崩边

正崩主要发生在晶圆的切割面（正面），背崩是指晶圆背面的崩边。不管正崩与背崩，在晶圆划片时都是不被允许的。崩边产生的原因有：

1，不恰当的切割参数导致崩边

2，刀片磨损严重，钝化的刀片边缘增加了切割过程中的不规则作用力，从而增加了崩边的可能性

3，刀片中的金刚石等磨料颗粒在切割过程中与晶圆表面材料发生撞击，导致崩边
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颗粒越大，刀片寿命越长；颗粒越小，刀片寿命越短。 颗粒集中度的影响 颗粒集中度对划片质量也非常关键。 关于相同的金刚石颗粒大小会消费出不同集中度的刀片，划片效果也会有很大差别。 目前，划片刀常见有5种规格，分别是：50、70、90、110、130。 依据实践测试得出，高集中度的金刚石颗粒，划片阻力小，划片速度快，，还能够延长划片刀的寿命，减少晶圆正面崩缺