TRS3243ECDBR，TI原装集成电路

TAS5548DCAR
具有集成 ASRC 和音频处理器的 96KHz PWM 调制器
音频输入或输出
多达 5 个同步串行音频输入（10 个通道）
多达 1 个同步串行音频输出（2 个通道）
当与外部晶振一起使用时的 I2S 主控模式
具有自动/手工采样速率检测的受控模式 32-192kHz
8 个可支持 AD 或 BD 调制的差分 PWM 输出
两个差分 PWM 头戴式耳机输出
针对外部无线子
PWM 输出的 I2S 支持单端 (S.E.) 或桥接负载 (BTL)
TPS54361QDPRRQ1
正在供货
具有软启动功能的 4.5V 至 60V 输入、3.5A、降压直流/直流转换器
TPS54361-Q1 的说明
TPS54361-Q1 器件是一款 60V，3.5A，降压稳压器，此稳压器具有一个集成的高侧金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。按照 ISO 7637 标准，此器件能够耐受的抛负载脉冲高达 65V。电流模式控制提供了简单的外部补偿和灵活的组件选择。低纹波脉冲跳跃模式和 152µA 的电源电流可在轻负载时实现率。当使能引脚被拉至低电平时，关断电源电流被减少至 2µA。

TI德州仪器MOSFET管:
CSD18511KCS 的特性
低 Qg 和 Qgd
低 RDS(ON)
低热阻
雪崩额定值
无铅引脚镀层
符合 RoHS 环保标准
无卤素
晶体管 (TO)-220 塑料封装
CSD25501F3 - 采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KCS - 采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KTT - 采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD87503Q3E - 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、21.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17318Q2 - 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22205L - 采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22206W - 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

主营产品：MCU单片机、存储芯片、晶振谐振器、滤波双工器、传感器、射频芯片、电源管理芯片、音频功放、驱动芯片、接口芯片、蓝牙芯片、安防监控芯片、WIFI芯片、汽车芯片。
DS90UB927QSQX/NOPB
具有双向控制通道的 5MHz - 85MHz 24 位彩色 FPD-Link III 串行器
DS90UB927Q-Q1 的特性
双向控制通道接口，可连接到 I2C 兼容串行控制总线
低电磁干扰 (EMI) FPD-Link 视频输入
支持高清 (720p) 数字视频格式
支持 5MHz 至 85MHz 像素时钟 (PCLK)
支持 RGB888 + VS、HS、DE 和 I2S 音频
多达 4 个针对环绕立体声应用的 I2S 数字音频输入
4 条具有 2 个引脚的双向通用输入输出 (GPIO) 通道
通过 1.8V 或 3.3V 兼容 LVCMOS I/O 接口实现 3.3V 单电源运行
长达 10 米的交流耦合屏蔽双绞线 (STP) 互连
具有嵌入式时钟的直流均衡和扰频数据